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ISL9R3060G2,
I
SL9R3060P2
—
STEALTH? Diode
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics TC
= 25°C unless otherwise noted
Off State Characteristics
On State Characteristics
Dynamic Characteristics
Switching Characteristics
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
IR
Instantaneous Reverse Current
VR
= 600
V
TC
= 25°C - - 100
μA
TC
= 125°C - - 1.0 mA
VF
Instantaneous Forward Voltage
IF = 30
A
TC
= 25°C - 2.1 2.4 V
TC
= 125°C - 1.7 2.1 V
CJ
Junction Capacitance
VR = 10
V,
IF
= 0
A
- 120 - pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 1
A,
d
iF/dt
= 100
A/μR
= 30
V
- 27 35 ns
s, V
IF=30
A,
d
iF/dt
= 100
A/μR
= 30
V
- 36 45 ns
s, V
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 30
A,
-36-ns
diF/dt
= 200
A/μ- 2.9 - A
s,
VR
= 390
V,
T
C
= 25°C
- 55 - nC
Irr
Reverse Recovery
Current
Qrr
Reverse Recovery Charge
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 30
A,
-110- ns
)-diF/dt
= 200
A/μ1.9-s,
Current
VR
= 390
V,
- 6 - A
TC
= 125°C
S Softness Factor (tb/ta
Irr
Reverse Recovery
Qrr
Reverse Recovery Charge
- 450 - nC
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 30
A,
-60-ns
diF/dt
= 1000
A/μ- 1.25 -
s,
VR
= 390
V,
- 21 - A
TC
= 125°C
S Softness Factor (tb/ta)
Irr
Reverse Recovery
Current
Qrr
Reverse Recovery Charge
730 - nC
dIM/dt Maximum di/dt during tb
- 800 - A/μs
RθJC
Thermal Resistance Junction to Case
- - 0.75 °C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247
- - 30 °C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-220
- - 62 °C/W
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R3060G2, ISL9R3060P2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
2
Part Number Top Mark
Package
Packing Method Reel Size Tape Width Quantity
ISL9R3060G2
ISL9R3060G2
TO-247-2L
Tube
N/A
N/A
30
ISL9R3060P2
ISL9R3060P2
TO-220AC-2L
Tube
N/A
N/A
50
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